エレクトロニクス実装学会誌22巻1号(1月号)を発刊しました

巻頭言

Electronic Packaging S&T — The New Frontier

　／IEEE Electronic Packaging Society　Avram BAR-COHEN

特集／エレクトロニクス実装技術の現状と展望

特集に寄せて

　／日本大学　内木場文男1

材料開発と環境調和から見通すエレクトロニクス実装技術の課題

　／材料技術・環境調和型実装技術委員会2

システム設計の課題と展望

　／回路・実装設計技術委員会9

最近の電磁特性技術におけるトピックス

　／電磁特性技術委員会12

次世代配線板の進む方向～ランドレスプリント配線板の優位性～

　／配線板製造技術委員会　次世代配線板研究会16

HALTの現状とこれからの展開

　／信頼性解析技術委員会23

電子部品と実装技術における現状と今後の展望

　／電子部品・実装技術委員会28

電子回路実装基板に対する検査技術の現状と展望

　／検査技術委員会33

光回路実装技術の現状と将来展望

　／光回路実装技術委員会　光回路実装技術研究会37

人工知能(AI)とInternet of Things(IoT)を進化させるシステムインテグレーション技術の将来展望

　／システムインテグレーション実装技術委員会43

マイクロマシンを使ってナノ材料の機械物性を測る

　／マイクロメカトロニクス実装技術委員会48

福岡大学半導体実装研究所と三次元半導体研究センターでのパワーデバイス向け部品内蔵技術の紹介

　／部品内蔵技術委員会54

IoT時代における官能検査システム化研究会の活動とトピックス紹介

　／官能検査システム化研究会59

サーマルマネージメント研究の動向

　／サーマルマネージメント研究会62

次世代通信システムと環境対応で切り拓く新たな自動車社会

　／カーエレクトロニクス研究会66

パワーエレクトロニクスにおける実装技術の展望と現状

　／パワーエレクトロニクス研究会72

ヘルスケアエレクトロニクスを取り巻く課題と展望

　／ヘルスケアエレクトロニクス研究会78

インテリジェント実装技術の課題と展望

　／インテリジェント実装技術研究会83

バウンダリスキャン研究会の発足と活動状況

　／バウンダリスキャン研究会89

2018年ミッションフェロー活動報告

　／ミッションフェロー93

研究論文

位相シフトサンプリングモアレ法を用いた電子パッケージのひずみ計測手法の提案

　／鹿児島大学　小金丸正明，長戸　翔，池田　徹，福岡県工業技術センター　内野正和95

概要

電子パッケージの機械的・電気的信頼性を確保するためには，電子パッケージ中のひずみや応力を適切に見積もることが必要不可欠である。本論文では，電子パッケージのひずみ計測手法として，X線CT画像と位相シフトサンプリングモアレ法を用いる新たな手法を提案する。その際，X線撮像時の計測位置のずれに起因する見かけのひずみを校正する手法も併せて示す。提案手法をQFPの樹脂封止に起因するチップ上の残留ひずみの評価に適用し，有限要素法解析結果との比較から提案手法の有効性を示す。

はんだ実装対応28Gb/s×4chトランシーバモジュールを用いたQSFP28 AOC

　／古河電気工業　那須秀行，長島和哉，石川陽三，伊澤　敦，根角昌伸，喜瀬智文103

概要

データセンター市場におけるQSFP28 AOCの低コスト化と量産要求を満足するために，既に開発を行った10Gb/s × 12ch送信／受信光モジュールと14Gb/s × 4ch光トランシーバモジュールの部品を一部共通化し，組立設備を共有でき，安価なOM2ファイバを用いることができる1,060 nm VCSELを用いた28 Gb/s × 4ch光トランシーバモジュールを開発した。28Gb/sに対応するために専用デバイスと新規に設計された基板が必要であるが，光学系と放熱構造の特性を検証することで，それ以外の部品は共通化可能である。光学特性を検討した結果，許容可能な光軸ずれは14Gb/s × 4ch光トランシーバモジュールと同様に±10μmであり，光学結合系を共通化できることを明らかにした。放熱特性の検討では，光モジュールの消費電力は14Gb/s × 4 chから28Gb/s × 4chにすることで0.5Wから0.9Wに上昇するが，動作環境下において使用デバイスは十分に仕様温度範囲内にあることを明らかにした。光モジュールのループバックテストの結果，最高ケース温度75℃において，BER = 10^-12において，0.4U.I以上のジッタマージンを確保した。次に，光モジュールをPCBにはんだ実装してOM2ファイバと共にQSFP28 AOCに組込み，両端から双方向の信号評価を行った結果，ハウジング温度70℃の動作環境下において，全てのチャンネルが0.4 U.I.以上のジッタマージンを確保することを確認した。これにより，28Gb/s × 4chトランシーバモジュールを組み込んだQSFP28 AOCはデータセンターアプリケーションに適用できることが明らかになった。

厚板Cu配線セラミックス基板の熱反り変形解析

　／日立製作所　春別府　佑，谷江尚史，佐々木康二，日立金属　千綿伸彦，手島博幸112

概要

パワー半導体パッケージの放熱性能向上を目的として，厚板Cu配線セラミックス基板の開発が推進されている。本報では，高温実装時の熱反り変形の把握を目的として反り測定と応力解析を実施し，厚板Cu配線セラミックス基板では従来の薄板Cu配線セラミックス基板と異なる熱反り変形が生じ，回路用の溝との直交方向，平行方向いずれにおいても従来よりも熱反り量が増大することを明らかにした。さらに，その変形メカニズムがセラミックスとCuの剛性の関係に起因することを解明し，熱反りの増大が厚板Cuセラミックス基板特有の現象であることを明らかにした。そして，解明したメカニズムを考慮した応力解析によって熱反り量を推定できることを示した。

■会　長

益　一哉

■副会長

齊藤　雅之　　内木場　文男

■ 編集委員会

委員長 日暮　栄治
副委員長 青柳　昌宏
委員（五十音順）
赤星　晴夫　　安東　泰博　　碓氷　光男　　王　　建青　　大久保利一　　越地　耕二
澤田　廉士　　白石　洋一　　平　　洋一　　西　　剛伺　　原　　靖彦　　藤野　真久
宝藏寺裕之　　三宅　敏広　　山内　　仁